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STGFW40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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库存：6,591(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.4469
5723.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
62.5 W
系列
STGFW40H65FB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2219AL/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
139:¥103.6549
250:¥94.5132
500:¥88.366
1,000:¥81.0662
参考库存:51628
JAN1N5534C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.1916
200:¥94.129
500:¥88.0609
1,000:¥80.7611
参考库存:51633
JAN2N3499L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥132.2439
250:¥120.5597
500:¥112.7966
参考库存:51638
JANTX1N3821AUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥137.4645
200:¥126.1758
500:¥120.0964
参考库存:51643
JANTX1N3042B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥91.1345
200:¥83.0663
500:¥77.7666
1,000:¥71.303
参考库存:51648

  • 海量现货

    50万现货SKU

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