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分立半导体
BD809G参考图片

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BD809G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 90W NPN
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库存:7,377(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
1.5 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD809
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
90 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V 7.2 mo FET
1:¥7.5258
10:¥6.4636
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,500:¥3.0736
9,000:查看
参考库存:35789
分立半导体
IGBT 晶体管 650V/75A CK46 IGBT DIE SA
173:¥26.1256
250:¥24.747
500:¥22.2045
1,000:¥18.7467
参考库存:35794
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W
250:¥118.6387
500:¥108.8077
参考库存:35799
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314HS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,779.1494
参考库存:35804
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A 150V
50:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:35809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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