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分立半导体
BC857AW-7-F参考图片

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BC857AW-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.356
13.56
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32318
323.18
3,000
¥0.24634
739.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 650 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC857A
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
125
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA124TM,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30476
MPQ3798
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Noise 60Vcbo 40Vcbo 4.0pF
250:¥34.4198
500:¥27.8884
1,000:¥26.0465
2,500:¥24.747
参考库存:30481
A2T18S260W12NR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:30486
MMRF1009HSR5
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:30491
BUK9610-100B,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:30496

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    50万现货SKU

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