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分立半导体
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IPP60R105CFD7XKSA1

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数量单价合计
1
¥39.4935
39.4935
10
¥33.5836
335.836
100
¥29.1201
2912.01
250
¥27.5833
6895.825
500
¥24.747
12373.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
106 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
94 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPP60R105CFD7 SP001715624
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST230C16C1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 410 Amp 1600 Volt 780 Amp IT(RMS)
12:¥580.7522
36:¥562.0846
60:¥554.5588
108:¥524.5912
参考库存:43820
JAN1N975CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥83.3714
200:¥75.9925
500:¥71.1561
1,000:¥65.2349
参考库存:43825
JAN1N965CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥81.8346
250:¥74.6139
500:¥69.8453
1,000:¥64.0032
参考库存:43830
JAN1N3042B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥86.8292
200:¥79.1452
500:¥74.0715
1,000:¥67.9243
参考库存:43835
JAN1N5616US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥79.0661
250:¥72.0714
500:¥67.461
1,000:¥61.8562
参考库存:43840

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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