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分立半导体
STLD200N4F6AG参考图片

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STLD200N4F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package
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库存:10,876(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
172 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STLD200N4F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
410 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
440 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
600 ns
典型接通延迟时间
150 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150mA 100 Volt
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.66896
参考库存:34495
分立半导体
稳压二极管 5.1V 2.5% 200mW FLT LD 1.25x2.5mm
1:¥1.6159
10:¥1.02943
100:¥0.48364
500:¥0.36838
3,000:¥0.22261
9,000:查看
参考库存:163527
分立半导体
桥式整流器 25A Bridge Rectifier
1:¥28.589
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
500:¥17.8992
参考库存:6479
分立半导体
SCR 1.5A 200uA 400V Sensing
1:¥6.3732
10:¥4.8816
100:¥3.7064
500:¥3.1527
1,000:¥2.5199
参考库存:4556
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SS SHKY DIO 70V
1:¥1.3786
10:¥1.2656
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:71643
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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