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分立半导体
SIHG35N60EF-GE3参考图片

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SIHG35N60EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:4,411(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7936
52.7936
10
¥43.7197
437.197
100
¥35.9566
3595.66
250
¥34.8831
8720.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
97 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
134 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
EF
晶体管类型
1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1V 0.7A SwDiode
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:395851
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.73789
参考库存:101508
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 60 Volt
1:¥4.9946
10:¥3.8307
100:¥2.8476
500:¥2.3391
6,500:¥1.5481
参考库存:45160
分立半导体
MOSFET -20V -1A P-Channel
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.5989
参考库存:282602
分立半导体
MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
3,000:¥2.4747
参考库存:34854
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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