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分立半导体
SQD40031EL_GE3参考图片

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SQD40031EL_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥11.4469
114.469
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.119
3559.5
2,000
¥5.0624
10124.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1. 5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
186 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
204 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
126 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HERF1602G C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 16 Amp 100 Volt 125 Amp IFSM
2,000:¥5.1076
参考库存:46200
RS1JLWHRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 600V SM Fast Recovery 整流器
20,000:¥0.41471
50,000:¥0.36838
100,000:¥0.34578
参考库存:46205
CMSZDA3V3 TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Dual/Common Anode 3.3V 5.0mA 275mW
6,000:¥1.05994
9,000:¥0.99101
24,000:¥0.9379
45,000:¥0.91417
99,000:¥0.88366
参考库存:6484546
SRA1030HC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,30V, SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
2,000:¥2.6781
参考库存:46212
SRA890 C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A,90V,Sgl SCHOTTKY Rect
2,000:¥2.9154
参考库存:46217

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