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分立半导体
CSD18510Q5BT参考图片

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CSD18510Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存:8,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.6732
17.6732
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
250
¥11.9893
2997.325
500
¥10.4525
5226.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
153 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD18510Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
147 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
120.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
JFET 25V 10mA
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:60723
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.0A 150V
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:234590
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:145657
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
1,500:¥1.1865
4,500:查看
参考库存:48534
分立半导体
IGBT 晶体管 650V/35A FAST IGBT FSII T
1:¥22.826
10:¥19.3682
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:7041
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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