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分立半导体
SI5935CDC-T1-GE3参考图片

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SI5935CDC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
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库存:71,176(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
1,000
¥1.5707
1570.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI54
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
9.5 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3
单位重量
85 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 60V
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:19157
分立半导体
MOSFET MOSFET N-CHAN
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:14564
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 0.225W 5%
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.7684
500:¥0.52206
3,000:¥0.30736
6,000:查看
参考库存:15166
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.70738
1,000:¥0.48364
3,000:¥0.37629
参考库存:12593
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥3.6838
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:16560
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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