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分立半导体
IRFH3707TRPBF参考图片

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IRFH3707TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
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库存：40,044(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.0962
30.962
100
¥1.8871
188.71
1,000
¥1.4577
1457.7
4,000
¥1.243
4972
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
17.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.9 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SP001551876
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-4CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 Hypfst Rct 2x2A 100V
6,500:¥1.4803
13,000:¥1.3786
19,500:¥1.2995
参考库存:30895
BFU530XVL
Nexperia
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:30900
VS-18TQ045HN3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-220-e3
1,000:¥6.8026
3,000:¥6.328
5,000:¥6.102
10,000:¥5.8647
参考库存:30905
U3D-M3/57T
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A, 200V, SM,ULTRAFAST DIODE
5,950:¥1.356
10,200:¥1.2656
25,500:¥1.1978
参考库存:30910
CD1408-FF1400
Bourns
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 400VOLT
12,000:¥0.76049
24,000:¥0.66105
45,000:¥0.63054
参考库存:30915

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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