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分立半导体
DMP3085LSD-13参考图片

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DMP3085LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
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库存:196,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
2,500
¥0.71416
1785.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3085
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
5.8 S
下降时间
14.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.6 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.7348
800:¥6.3958
参考库存:6720
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=20V, IO=500mA
1:¥3.0736
10:¥1.7176
100:¥0.82264
1,000:¥0.56839
4,000:¥0.43053
参考库存:42382
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥2.1131
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:30319
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Vr 21Vrms 100mA 500mA Ifsm 30Vbr
1:¥4.3844
10:¥2.5312
100:¥1.1865
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.69156
20,000:查看
参考库存:95911
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 200 Volt 150 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥5.8986
参考库存:4698
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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