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分立半导体
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BSD316SNH6327XTSA1

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库存：49,036(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSD316
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.3 S
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.8 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
零件号别名
BSD316SN H6327 SP000917668
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMN80XP,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET 20V Single P-channel Trench MOSFET
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.582
参考库存:4593
ALD212900SAL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥33.6514
10:¥30.0467
25:¥27.0522
50:¥26.3516
参考库存:2020
JAN1N4150-1
Microsemi
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Signal or Computer Diode
1:¥14.4414
10:¥13.0628
25:¥11.6842
100:¥10.5316
参考库存:3447
MBR7560
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V - 75A Schottky Rectifier
1:¥128.1646
10:¥116.4917
20:¥107.802
50:¥102.039
参考库存:1979
KBPC35005W
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 50 V - 35 A
1:¥32.657
10:¥26.5098
50:¥26.2838
100:¥23.9786
参考库存:6251

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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