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分立半导体
RQ3E120ATTB参考图片

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RQ3E120ATTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -30V -12A Middle Power MOSFET
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库存:11,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.808
1808
3,000
¥1.5481
4644.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
39 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
62 nC
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.4 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
RQ3E120AT
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
600:¥91.3605
1,020:¥83.8347
参考库存:35184
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TO-252 SiC Schottky
2,500:¥12.3735
5,000:¥11.30
参考库存:35189
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
暂无价格
参考库存:35194
分立半导体
稳压二极管 1.0W 43V 10%
10,000:¥0.99892
20,000:¥0.7684
50,000:¥0.63054
参考库存:35199
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8704
参考库存:9380
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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