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分立半导体
STP6N90K5参考图片

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STP6N90K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
910 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP6N90K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30.4 ns
典型接通延迟时间
12.4 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-4CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 Hypfst Rct 2x2A 100V
6,500:¥1.4803
13,000:¥1.3786
19,500:¥1.2995
参考库存:30895
BFU530XVL
Nexperia
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:30900
VS-18TQ045HN3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-220-e3
1,000:¥6.8026
3,000:¥6.328
5,000:¥6.102
10,000:¥5.8647
参考库存:30905
U3D-M3/57T
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A, 200V, SM,ULTRAFAST DIODE
5,950:¥1.356
10,200:¥1.2656
25,500:¥1.1978
参考库存:30910
CD1408-FF1400
Bourns
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 400VOLT
12,000:¥0.76049
24,000:¥0.66105
45,000:¥0.63054
参考库存:30915

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    明码标价节省时间成本

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