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分立半导体
IRFH5010TRPBF参考图片

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IRFH5010TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC
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库存:19,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2433
3621.65
4,000
¥5.3901
21560.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
206 S
下降时间
8.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SP001560282
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
1:¥4.5313
10:¥3.277
100:¥1.9323
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.70738
参考库存:818250
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:7262
分立半导体
整流器 Ultra Fast 200V 1A
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:75509
分立半导体
MOSFET Mosfet2.5ohmsTrench9 AEC-Q101 qualified
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6218
500:¥5.8421
参考库存:13831
分立半导体
桥式整流器 0.5 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥2.2713
500:¥1.6724
3,000:¥1.1413
9,000:查看
参考库存:14558
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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