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分立半导体
IRFH5010TRPBF参考图片

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IRFH5010TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC
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库存：19,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2433
3621.65
4,000
¥5.3901
21560.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
206 S
下降时间
8.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SP001560282
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S2010VS3
Littelfuse
分立半导体
SCR 10A 200V Sensing
1:¥7.3789
10:¥5.9551
100:¥4.5765
500:¥4.0454
参考库存:45633
GBU8005-G
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 VR=50V IAV=4.0A
1:¥8.8366
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
参考库存:45638
GBU402-G
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 VR=200V IAV=4.0A
1:¥7.8422
10:¥6.2828
100:¥4.8138
500:¥4.2601
参考库存:45643
L6006L8TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 6A Sensing 10-10-10-20mA
1:¥14.8256
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9608
参考库存:45648
L6X5
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V .8A Sensing 5-5-5-5mA
1:¥9.605
10:¥7.684
100:¥5.9325
500:¥5.2432
参考库存:45653

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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