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分立半导体
STGP20NC60V参考图片

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STGP20NC60V

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp
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库存:7,990(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥18.8258
188.258
100
¥15.0629
1506.29
500
¥13.1419
6570.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP20NC60V
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 300 Volt 8.0A 35ns 110 Amp IFSM
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0116
500:¥5.1754
800:¥4.5313
参考库存:45580
分立半导体
整流器 200 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥9.9101
10:¥8.2264
100:¥6.2602
500:¥5.3901
1,000:¥4.7234
参考库存:45585
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.9323
参考库存:45595
分立半导体
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
3,000:¥5.2771
6,000:查看
参考库存:45600
分立半导体
整流器 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.0002
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
1,500:¥1.01474
4,500:查看
参考库存:45605
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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