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分立半导体
CSD19532Q5BT参考图片

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CSD19532Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N ch MOSFET
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库存：14,322(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.221
1322.1
250
¥13.221
3305.25
500
¥11.526
5763
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19532Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
84 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
105.300 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS40
Rectron
分立半导体
肖特基二极管与整流器
12,000:¥0.2147
24,000:¥0.20792
参考库存:42981
GBU806
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 8.0 Amp 800 Volt 200 Amp IFSM
1,000:¥3.5143
2,000:¥3.1866
参考库存:42986
BB640E6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
变容二极管 Varactor Diode 30 V 20mA
21,000:¥0.60681
24,000:¥0.56839
45,000:¥0.50737
99,000:¥0.49155
参考库存:42991
PTZTE2530A
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 30V 10MA
1,500:¥1.11418
9,000:¥1.03734
24,000:¥0.9831
49,500:¥0.9605
99,000:¥0.92208
参考库存:42996
IPP16CN10N G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 OptiMOS 2
500:¥6.7913
1,000:¥5.3675
参考库存:43001

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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