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分立半导体
STGW60V60DF参考图片

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STGW60V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:6,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥41.0303
410.303
100
¥35.5724
3557.24
250
¥33.7305
8432.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Dual Isolated High V Switching Diode
1:¥3.0736
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.65314
3,000:¥0.49155
参考库存:22674
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode
暂无价格
参考库存:44020
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBR Diode
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.70738
参考库存:14251
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:177243
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥13.9894
10:¥11.6051
100:¥8.9948
500:¥7.91
1,000:¥6.5201
参考库存:7735
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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