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分立半导体
STGW30H60DF参考图片

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STGW30H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存：6,701(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥18.0574
4514.35
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL821A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 0TC Reference Voltage Zener
224:¥35.2673
250:¥31.8095
500:¥28.3517
1,000:¥23.9786
参考库存:35632
FM120L
Rectron
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SM Schot Bar Rect SMA,1A,20V
5,000:¥0.88366
参考库存:35637
1N965B/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥25.6623
10:¥20.5886
100:¥18.7467
200:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:35642
CMBT2222A
Rectron
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN,0.6A,40V GenPur
21,000:¥0.14577
参考库存:35647
MD2S-W
Rectron
分立半导体
桥式整流器 100V .5A
3,000:¥2.5764
9,000:¥2.1696
24,000:¥1.808
48,000:¥1.5142
参考库存:35652

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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