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分立半导体
AUIRGDC0250参考图片

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AUIRGDC0250

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
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库存：4,800(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.2622
46.2622
10
¥41.7987
417.987
50
¥39.8777
1993.885
100
¥34.6571
3465.71
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.57 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
141 A
Pd-功率耗散
543 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
141 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511678
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DBL104GHC1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1A,400V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
5,000:¥1.1865
参考库存:48683
S1K E2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 800V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
15,000:¥0.49155
22,500:¥0.43844
45,000:¥0.39211
97,500:¥0.36838
参考库存:48688
DBL157G C1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1.5A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:48693
BZD27C47P RQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 47V, ZENER
10,000:¥0.86784
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.72998
参考库存:48698
TS20P04GHD2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 20A, 400V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥6.0681
2,400:¥5.2771
4,800:¥5.085
9,600:¥4.8816
参考库存:48703

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