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分立半导体
IPB65R065C7ATMA1参考图片

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IPB65R065C7ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
171 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB65R065C7 SP001080110
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥156.9796
5:¥150.9115
10:¥145.2276
25:¥133.3965
参考库存:3721
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.54579
24,000:查看
参考库存:43693
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥45.5616
10:¥36.5781
25:¥35.9566
100:¥33.3463
参考库存:4415
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:3737
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:55039
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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