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分立半导体
IRG4BC10KDPBF参考图片

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IRG4BC10KDPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
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库存:9,863(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.7575
4378.75
1,000
¥7.2546
7254.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.62 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
9 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532484
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 60V NPN/PNP
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:15899
分立半导体
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:6526
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 69A CanPAK-2 SQ OptiMOS
1:¥7.0738
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.1132
5,000:¥2.8815
10,000:查看
参考库存:27253
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
5,000:¥7.0512
10,000:查看
参考库存:69335
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE LOW LEAKAGE
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:373052
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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