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分立半导体
BSM35GD120DN2E3224参考图片

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BSM35GD120DN2E3224

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库存:2,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Automotive ultrafast rectifier
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:46933
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:9230
分立半导体
整流器 1600 Volt 1.0 Amp High Voltage
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥2.0001
500:¥1.6498
1,000:¥1.2769
4,000:¥1.2769
参考库存:5577
分立半导体
稳压二极管 3.9Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:78599
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 100 Volt 100mA 2.0 Amp IFSM
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.56839
500:¥0.47686
2,500:¥0.26894
5,000:查看
参考库存:65856
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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