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分立半导体
BSM35GD120DN2E3224参考图片

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BSM35GD120DN2E3224

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库存:2,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 MOD DIODE 25A 120VAC
1:¥710.1598
10:¥676.3502
25:¥660.9822
50:¥645.6142
参考库存:4749
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1:¥5.2206
10:¥3.8307
100:¥2.4182
500:¥1.9549
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.6498
参考库存:13611
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3a/40V Schottky
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,250:¥1.4012
2,500:¥1.1978
参考库存:13238
分立半导体
整流器 1200 Volt 70 Amp
1:¥89.9028
10:¥80.9871
50:¥73.7664
100:¥66.5457
参考库存:5080
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:139927
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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