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分立半导体
BSM35GD120DN2E3224参考图片

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BSM35GD120DN2E3224

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库存:2,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PFET 20V 3.2A 85MO
1:¥4.068
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:45794
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥196.6313
5:¥187.7947
10:¥181.9526
25:¥167.2061
参考库存:6431
分立半导体
桥式整流器 25A 800V
1:¥13.8312
10:¥12.5204
25:¥11.1418
100:¥10.0683
参考库存:14728
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT223 BIP POWER TRAN
1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:75980
分立半导体
双向可控硅 800 V 1 A SOT223
1:¥3.2318
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
4,000:¥0.83733
参考库存:84062
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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