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分立半导体
BSM35GD120DN2E3224参考图片

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BSM35GD120DN2E3224

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库存:2,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 2.0 Amp 100 Volt
1:¥5.2206
10:¥4.2375
100:¥3.2205
500:¥2.6555
参考库存:17545
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV BISS TAPE-7
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:13047
分立半导体
MOSFET MOSFET,P-CHANNEL 60V, -3.4A/-2.8A
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:11819
分立半导体
MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
参考库存:17161
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:102553
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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