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分立半导体
BSM35GD120DN2E3224参考图片

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BSM35GD120DN2E3224

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库存:2,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 4A, 400V, SIL 7.5/7.5/7.5MM BRIDGE RECTIFIER
1:¥8.1473
10:¥7.458
100:¥5.7404
500:¥4.2488
1,000:¥3.1414
参考库存:32378
分立半导体
整流器 2A, 600V, 35NS, RECTIFIER
1:¥6.0681
10:¥5.537
100:¥3.616
1,000:¥1.2091
3,500:¥0.99892
参考库存:32383
分立半导体
整流器 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
1:¥6.1472
10:¥5.6048
100:¥3.6725
1,000:¥1.2317
1,800:¥1.01474
参考库存:32388
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=150V, IO=10A
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.8985
1,000:¥2.8928
参考库存:32393
分立半导体
整流器 1A,800V,ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS
6,000:¥0.52206
24,000:¥0.49155
48,000:¥0.43053
参考库存:32398
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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