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分立半导体
IRG6B330UDPBF参考图片

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IRG6B330UDPBF

  • Infineon / IR
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  • IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
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库存:3,318(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.3463
33.3463
10
¥28.3517
283.517
100
¥24.5888
2458.88
250
¥23.278
5819.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
330 V
集电极—射极饱和电压
1.69 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532524
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 Input Modules - AAP DBC
1:¥316.0384
5:¥307.6651
10:¥295.7549
25:¥273.4713
参考库存:42238
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9721
参考库存:42243
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:42248
分立半导体
MOSFET FET 30V 167A 1.0 mOhm
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
3,000:¥22.9729
参考库存:42253
分立半导体
SCR模块 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL
1:¥27,425.5746
参考库存:42258
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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