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BSM300GA120DN2

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数量单价合计
1
¥1,263.2496
1263.2496
5
¥1,232.8187
6164.0935
10
¥1,202.2409
12022.409
25
¥1,185.4152
29635.38
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
2500 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GA120DN2HOSA1 SP000100730
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4468C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥137.1594
250:¥125.9385
500:¥119.7913
参考库存:33960
USF24
Rectron
分立半导体
整流器 20NS,UltraFast 2A,200V
4,000:¥1.4464
参考库存:33965
JAN1N6337US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥136.3119
250:¥125.091
500:¥119.0229
参考库存:33970
1N6020B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
455:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.752
2,500:¥11.1418
5,000:¥10.2152
参考库存:33975
1N6346US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥100.5022
250:¥91.7447
500:¥85.9026
1,000:¥76.614
参考库存:33980

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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