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分立半导体
TK14G65W5,RQ参考图片

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TK14G65W5,RQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存：8,600(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.0465
26.0465
10
¥20.9728
209.728
100
¥18.9049
1890.49
500
¥14.6787
7339.35
1,000
¥12.2153
12215.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13.7 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK14G65W
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
90 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCR16CM-12LB#BB0
Renesas Electronics
分立半导体
双向可控硅 TRIAC
暂无价格
参考库存:53643
JAN1N4620DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥163.5901
250:¥150.064
500:¥142.8433
参考库存:53648
JANTX1N4121C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥100.5813
200:¥91.6656
500:¥85.7557
1,000:¥78.6819
参考库存:53653
VS-SD600N32PC
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 3200 Volt 600 Amp
1:¥1,189.6414
5:¥1,161.0524
10:¥1,132.1583
25:¥1,116.327
参考库存:53658
JAN1N5543BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥134.696
200:¥122.7858
500:¥114.8758
参考库存:53663

  • 海量现货

    50万现货SKU

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