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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	TT Electronics
产品种类	肖特基二极管与整流器
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-257AA
If - 正向电流	10 A
Vrrm - 重复反向电压	600 V
Vf - 正向电压	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流	250 A
配置	Dual
技术	SiC
Ir - 反向电流	50 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 225 C
封装	Tray
工作温度范围	- 55 C to + 225 C
商标	Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散	100 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	50
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	-
Vr - 反向电压	600 V
单位重量	300 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
V12P10-M3/86A	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 12 Amp 100 Volt	1:¥7.7631 10:¥6.3845 100:¥4.9042 500:¥4.2149 1,000:¥3.3222 1,500:¥3.3222	参考库存:74334
IRFB3207ZPBF	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg	1:¥20.2835 10:¥17.289 100:¥13.8312 500:¥12.0684 1,000:¥9.9892	参考库存:14296
PD55025S-E	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	1:¥167.6694 10:¥162.9008 100:¥149.9962 250:¥143.4648	参考库存:6113
SCS212AJTLL	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 SiC, SBD 650V 12A DPAK	1:¥38.0358 10:¥32.2728 100:¥27.9675 250:¥26.5889 1,000:¥20.0575 2,000:查看	参考库存:9680
IRFB4615PBF	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg	1:¥16.3624 10:¥13.9103 100:¥11.1418 500:¥9.6841 1,000:¥8.0682	参考库存:12162