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分立半导体
STB80NF55-06-1参考图片

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STB80NF55-06-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
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数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
8.95 mm
长度
10 mm
系列
STB80NF55-06-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
155 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
125 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT03D82-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 82 Volt 600W 10%
25,000:¥1.5368
参考库存:39526
APTGT450SK60G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥909.0172
参考库存:39531
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Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥478.103
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分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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参考库存:39541
APTGT300SK60D3G
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥722.7593
参考库存:39546

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    50万现货SKU

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