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分立半导体
PD57030-E参考图片

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PD57030-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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库存:1,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥335.2484
335.2484
2
¥331.5646
663.1292
5
¥327.8017
1639.0085
10
¥312.8179
3128.179
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57030-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
1:¥4.5313
10:¥3.277
100:¥1.9323
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.70738
参考库存:818250
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:7262
分立半导体
整流器 Ultra Fast 200V 1A
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:75509
分立半导体
MOSFET Mosfet2.5ohmsTrench9 AEC-Q101 qualified
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6218
500:¥5.8421
参考库存:13831
分立半导体
桥式整流器 0.5 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥2.2713
500:¥1.6724
3,000:¥1.1413
9,000:查看
参考库存:14558
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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