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分立半导体
SI2365EDS-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI2365EDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:5,729(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0679
20.679
100
¥1.2091
120.91
500
¥0.97632
488.16
3,000
¥0.66105
1983.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.9 A
Rds On-漏源导通电阻
26.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SI4816DY-T1-E3-S
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 100
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6105
800:¥5.2206
参考库存:20181
分立半导体
MOSFET 200V N-Channel MOSFET
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:16198
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:6245
分立半导体
MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:30852
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
500:¥17.289
参考库存:12234
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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