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分立半导体
SIZ904DT-T1-GE3参考图片

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SIZ904DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
  • 数据手册下载
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库存:16,872(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.4806
74.806
100
¥5.7404
574.04
500
¥4.9381
2469.05
1,000
¥3.8985
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-6x5-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A, 16 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC, 23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W, 33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S, 24 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SIZ904DT-GE3
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 300 V 500 mA
1:¥2.5312
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:184279
分立半导体
IGBT 模块 600V 100A Dual
100:¥506.5338
参考库存:44300
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥29.8885
10:¥24.8148
100:¥20.4417
250:¥19.7524
500:¥17.7523
参考库存:9286
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥5.3788
10:¥3.8985
100:¥2.4634
500:¥1.9888
8,000:¥1.5707
参考库存:25138
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 100V Low Leakage
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2094
1,000:¥5.6952
参考库存:4340
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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