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分立半导体
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BSZ0902NSI

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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.5427
65.427
100
¥5.0285
502.85
500
¥4.4409
2220.45
1,000
¥3.503
3503
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
零件号别名
BSZ0902NSIATMA1 BSZ92NSIXT SP000854388
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS5C456NLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,500:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:9767
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
1:¥11.2209
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.1359
800:¥4.8364
参考库存:5969
PLZ11B-G3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 10.5-11.05V Ippm 16V Max
1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
4,500:¥0.35369
9,000:查看
参考库存:46921
S4006LS3TP
Littelfuse
分立半导体
SCR 400V 6A Sensing
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥6.9382
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
参考库存:4383
ARF465AG
Microsemi
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:2125

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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