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分立半导体
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CGHV22200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18 dB
输出功率
200 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440162
封装
Bulk
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 10 V, 2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SE15FD-M3/I
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24,000:¥0.42262
参考库存:23094

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