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分立半导体
STL24N60DM2参考图片

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STL24N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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库存:18,542(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.3409
38.3409
10
¥32.657
326.57
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
3,000
¥19.2891
57867.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-8x8-HV-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
195 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL24N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
参考库存:6947
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:4799
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
5,000:¥6.8026
10,000:查看
参考库存:60761
分立半导体
整流器 800V 20A Fast Recovery
1:¥89.2926
10:¥81.1453
25:¥75.0772
50:¥71.077
参考库存:2098
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
2,500:¥6.1359
参考库存:14570
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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