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分立半导体
SUP90N06-6M0P-E3参考图片

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SUP90N06-6M0P-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 90A 272W 6.0mohm @ 10V
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库存：26,643(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.3626
203.626
100
¥16.7466
1674.66
250
¥16.2155
4053.875
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
272 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
58 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N06S4H1AKSA2
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
500:¥15.594
参考库存:4190
BZX85C4V7-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
500:¥0.83733
5,000:¥0.43053
10,000:查看
参考库存:114707
BSP130,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE-7 MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.2092
1,000:¥2.5651
2,000:¥2.1696
参考库存:32484
ZXT13P12DE6TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 12V PNP SuperSOT4
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:29421
IRL3803PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:7268

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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