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分立半导体
STGWT40V60DF参考图片

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STGWT40V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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库存：4,217(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥30.736
307.36
100
¥26.668
2666.8
250
¥25.2781
6319.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AZ23B6V8-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.8 Volt 0.3W 2% CA
1:¥2.9154
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
10,000:¥0.36838
20,000:查看
参考库存:36824
AZ23C13-G3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 13 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:36829
MMSZ5247C-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 17 Volt 0.5W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
10,000:¥0.31527
20,000:查看
参考库存:36834
MMSZ5237C-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 0.5W 2% AUTO
1:¥2.7685
10:¥1.7967
100:¥0.88366
500:¥0.75258
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:36839
DZ23C16-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.3 Watt 5% AUTO
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:36844

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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