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分立半导体
GS66508B-E01-MR参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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GS66508B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存:6,930(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥130.628
130.628
10
¥126.4018
1264.018
25
¥120.5597
3013.9925
250
¥111.8813
27970.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
8.8 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7 mm
商标
GaN Systems
下降时间
5.2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
GS66508B-E01-MR
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8 Amp 100V S chottky Rectifier i
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
5,000:¥1.7402
参考库存:279987
分立半导体
JFET NCH J-FET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:17754
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.8306
1,000:¥1.3673
参考库存:40566
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge 300A 1800V 3600 Vrms
1:¥620.3248
5:¥608.1095
10:¥582.6732
25:¥563.8474
参考库存:2083
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
1:¥1,456.5813
参考库存:2270
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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