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分立半导体
DMG6898LSDQ-13参考图片

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DMG6898LSDQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
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库存:23,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
2,500
¥2.7685
6921.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
26 nC, 26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.28 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG6898
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.33 ns, 12.33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.49 ns, 12.49 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35.89 ns, 35.89 ns
典型接通延迟时间
11.67 ns, 11.67 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO220-3
1:¥50.7935
10:¥43.1095
100:¥37.4256
250:¥35.5046
参考库存:7807
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.1527
10:¥2.6216
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05316
参考库存:25914
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
500:¥0.83733
5,000:¥0.43053
10,000:查看
参考库存:121071
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 1.3 Watt 2%
1:¥3.2996
10:¥1.8871
100:¥1.01474
500:¥0.81473
5,000:¥0.47686
10,000:查看
参考库存:77853
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥33.5045
10:¥28.5099
100:¥24.6679
250:¥23.4362
参考库存:6260
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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