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分立半导体
STI33N60M2参考图片

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STI33N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
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数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.6677
2066.77
250
¥19.5942
4898.55
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI33N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
109 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857BV-7
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:121683
FQI7N60TU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:8885
EC103M1
Littelfuse
分立半导体
SCR 600V .8A 12uA Sensing
1:¥7.684
10:¥5.9099
100:¥4.4748
500:¥3.8081
1,000:¥3.051
参考库存:14442
QH03TZ600
Power Integrations
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 H-Series 600V 3A Super-Low Qrr
1:¥12.4526
10:¥11.0627
25:¥9.9892
100:¥8.7575
参考库存:10479
TN0610N3-G
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET 100V 1.5Ohm
1:¥7.458
10:¥7.4128
25:¥6.1698
100:¥5.6161
参考库存:9926

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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