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分立半导体
STGB30V60F参考图片

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STGB30V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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库存:20,940(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30V60F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 1200 Volt 35 Amp
1:¥49.2567
10:¥42.4202
100:¥36.8041
200:¥35.7306
参考库存:27466
分立半导体
MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:260113
分立半导体
分立半导体模块 1400V 410A
1:¥1,174.1943
5:¥1,151.1423
10:¥1,097.5012
25:¥1,074.4492
参考库存:3230
分立半导体
整流器 8A 400V Common Cathode
1:¥12.5204
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥6.8591
800:¥5.6839
参考库存:6482
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥25.3572
10:¥20.5886
100:¥18.984
500:¥15.5262
1,000:¥13.221
参考库存:20579
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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