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分立半导体
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RD3L080SNFRATL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
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库存：13,666(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4918
2745.9
1,000
¥4.3392
4339.2
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4.8 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TN2010H-6T
STMicroelectronics
分立半导体
SCR High Temperature 20A SCR
1:¥7.3789
10:¥6.2828
100:¥4.8138
500:¥4.2601
1,000:¥3.3674
参考库存:11411
RFN2LAM4STR
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 400V 1.5A Io PMDTM Schottky
1:¥3.4578
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1526
参考库存:41613
BUK9D23-40EX
Nexperia
分立半导体
MOSFET BUK9D23-40E/SOT1220 SOT1220
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
参考库存:24735
SIZ346DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥5.6048
10:¥4.5426
100:¥3.4465
500:¥2.8476
3,000:¥2.0679
6,000:查看
参考库存:28227
AIKQ100N60CTXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥93.1346
10:¥85.5975
25:¥82.0606
100:¥72.3087
参考库存:3824

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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