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分立半导体
VS-1N1185R参考图片

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VS-1N1185R

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库存:1,742(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥59.7092
59.7092
10
¥53.7089
537.089
50
¥48.9516
2447.58
100
¥44.183
4418.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
整流器
RoHS
安装风格
Stud Mount
封装 / 箱体
DO-203AB
Vr - 反向电压
150 V
If - 正向电流
35 A
类型
Standard Recovery Rectifiers
配置
Single
Vf - 正向电压
1.7 V
最大浪涌电流
400 A
Ir - 反向电流
10 mA
恢复时间
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
高度
22.9 mm
长度
20.02 mm
产品
Rectifiers
宽度
17.35 mm
商标
Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散
-
产品类型
Rectifiers
工厂包装数量
100
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
1N1185R
单位重量
17 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30476
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Noise 60Vcbo 40Vcbo 4.0pF
250:¥34.4198
500:¥27.8884
1,000:¥26.0465
2,500:¥24.747
参考库存:30481
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:30486
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:30491
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:30496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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