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分立半导体
STL70N4LLF5参考图片

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STL70N4LLF5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
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库存:13,331(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.594
15.594
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2208
4610.4
3,000
¥7.1642
21492.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
22 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4 W, 60 W
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL70N4LLF5
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30476
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Noise 60Vcbo 40Vcbo 4.0pF
250:¥34.4198
500:¥27.8884
1,000:¥26.0465
2,500:¥24.747
参考库存:30481
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:30486
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:30491
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:30496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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