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分立半导体
SIHG73N60AE-GE3参考图片

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SIHG73N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:4,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥88.2869
88.2869
10
¥79.4503
794.503
25
¥72.3878
1809.695
100
¥65.3931
6539.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
394 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
114 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
96 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
212 ns
典型接通延迟时间
43 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
2,000:¥1.921
参考库存:19962
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 50MA
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:20574
分立半导体
稳压二极管 6.2V 5% 1W 10mA FLT LD 1.6mm x 3.5mm
1:¥3.9211
10:¥2.8476
100:¥1.7854
500:¥1.4464
3,000:¥1.1413
9,000:查看
参考库存:29546
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
1,000:¥2.4521
参考库存:5933
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.921
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:2500
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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