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分立半导体
SIHG065N60E-GE3参考图片

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SIHG065N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:2,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥56.7825
56.7825
10
¥51.0986
510.986
50
¥46.5673
2328.365
100
¥42.036
4203.6
250
¥38.5782
9644.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 ECONO PACK 3 200A, 600V
1:¥1,215.767
5:¥1,186.5678
10:¥1,157.0522
25:¥1,140.848
参考库存:3897
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
2,500:¥2.0905
参考库存:23799
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥41.0303
10:¥34.8831
100:¥30.2727
250:¥28.6568
500:¥25.7414
参考库存:8851
分立半导体
MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
1:¥15.0629
10:¥12.5204
100:¥9.6841
500:¥8.5315
800:¥7.006
参考库存:7853
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:3955
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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