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分立半导体
SIHG065N60E-GE3参考图片

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SIHG065N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥56.7825
56.7825
10
¥51.0986
510.986
50
¥46.5673
2328.365
100
¥42.036
4203.6
250
¥38.5782
9644.55
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRA5143Y0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:28077
VS-305URA250
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 2500 Volt 300 Amp
12:¥867.3654
36:¥849.1611
60:¥837.0927
108:¥806.7409
参考库存:28082
DRA3123J0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:28087
SC8673010L
Panasonic
分立半导体
MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
1:¥19.5942
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
3,000:¥9.2208
参考库存:28092
IRFIBC40GLCPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:28097

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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