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分立半导体
SIHG065N60E-GE3参考图片

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SIHG065N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:2,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥56.7825
56.7825
10
¥51.0986
510.986
50
¥46.5673
2328.365
100
¥42.036
4203.6
250
¥38.5782
9644.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
PIN 二极管 Fast SMT MRI Protect PIN Diode 20ns
1:¥42.8722
10:¥34.4198
100:¥31.3462
250:¥28.3517
500:¥25.4363
1,000:¥21.4361
参考库存:18329
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
1:¥3.1527
10:¥2.0114
100:¥0.86784
1,000:¥0.66896
5,000:¥0.50737
参考库存:288761
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3337
参考库存:6543
分立半导体
MOSFET N-Channel, 3.4mOhm 80V
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
250:¥13.221
500:¥11.526
参考库存:11445
分立半导体
MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.7631
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.2149
3,000:¥4.2149
参考库存:33947
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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