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分立半导体
SIHG065N60E-GE3参考图片

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SIHG065N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥56.7825
56.7825
10
¥51.0986
510.986
50
¥46.5673
2328.365
100
¥42.036
4203.6
250
¥38.5782
9644.55
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QJ6025JH6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 60V 25A 80mA HI TEMP TO-218X Isolated
1:¥59.6301
10:¥53.7089
25:¥48.9516
100:¥44.183
参考库存:28561
ALD310508PAL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
暂无价格
参考库存:28566
BUK6C2R1-55C,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-chan TrenchMOS FET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
800:¥11.8311
2,400:查看
参考库存:31315
1N1344C
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥203.2418
250:¥186.563
500:¥177.5795
参考库存:28573
VS-85HFL10S02
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100 Volt 85 Amp
100:¥83.0663
200:¥75.7665
500:¥70.851
1,000:¥65.0089
参考库存:28578

  • 海量现货

    50万现货SKU

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