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分立半导体
STP55NF06L参考图片

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STP55NF06L

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
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库存:7,415(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8252
3412.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
95 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP55NF06L
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 600V .8A 50uA
2,000:¥2.9719
参考库存:33826
分立半导体
JFET N-Ch -40V JFET 50mA 300mW 1.7mW Audio
115:¥57.3249
500:¥52.2512
1,000:¥45.4938
参考库存:33831
分立半导体
达林顿晶体管 100Vcbo 100Vceo 5.0V IC 9A 80W
800:¥15.2098
参考库存:33836
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011HS/CFM2F///REEL 13
50:¥3,427.4482
参考库存:33841
分立半导体
稳压二极管 500MW 8.2V
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:727232
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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