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分立半导体
SIRA10DP-T1-GE3参考图片

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SIRA10DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:17,875(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.6444
66.444
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.3844
2192.2
3,000
¥4.3844
13153.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SIRA10DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 5.6V 450Ohms
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
2,500:¥0.43844
10,000:查看
参考库存:15333
分立半导体
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
2,000:¥5.1867
4,000:¥4.9946
10,000:¥4.8025
参考库存:44514
分立半导体
桥式整流器 2A 50V
1:¥3.2318
100:¥2.8476
500:¥2.4408
1,000:¥2.1922
参考库存:6345
分立半导体
MOSFET POWER MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:16137
分立半导体
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:4814
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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