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分立半导体
NVE4153NT1G参考图片

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NVE4153NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SC89 20V 915MA 230MO
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库存：41,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
915 mA
Rds On-漏源导通电阻
127 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
1.82 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
7.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DUR1040CT
Littelfuse
分立半导体
整流器 5A 400V Common Cathode
1:¥10.9836
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:8316
SS34
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3a 40V Rectifier Schottky Barrier
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:211728
TPW4R008NH,L1Q
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-CH Mosfet 60V 150A 8DSOP
1:¥13.9894
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
5,000:¥5.8421
10,000:查看
参考库存:42385
C4D08120E
Wolfspeed / Cree
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A
1:¥64.8507
100:¥54.014
500:¥46.33
1,000:¥40.567
参考库存:14347
ULN2003ADR
Texas Instruments
分立半导体
达林顿晶体管 Darlington
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.6724
参考库存:415214

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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