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分立半导体
BSZ060NE2LS参考图片

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BSZ060NE2LS

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库存:28,261(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6217
46.217
100
¥2.9832
298.32
1,000
¥2.3843
2384.3
5,000
¥2.0114
10057
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
1.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
零件号别名
BSZ060NE2LSATMA1 BSZ6NE2LSXT SP000776122
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Band S Bridge Quad
100:¥9.4468
300:¥8.2942
500:¥7.7631
1,000:¥6.3958
参考库存:40820
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥17.3681
10:¥15.9104
25:¥13.221
100:¥12.0684
250:¥11.1418
2,000:¥11.1418
参考库存:40825
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G
1:¥160.9798
10:¥147.9961
25:¥141.4647
100:¥125.0232
500:¥107.9602
参考库存:40830
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier KBP
1:¥6.5314
10:¥5.4127
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
参考库存:40835
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.7632
10:¥8.1473
25:¥6.7574
100:¥6.1472
2,000:¥3.9663
参考库存:40840
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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