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分立半导体
STW11NM80参考图片

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STW11NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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库存:7,675(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.0249
46.0249
10
¥41.5727
415.727
25
¥39.6517
991.2925
100
¥34.4198
3441.98
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW11NM80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
参考库存:6947
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:4799
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
5,000:¥6.8026
10,000:查看
参考库存:60761
分立半导体
整流器 800V 20A Fast Recovery
1:¥89.2926
10:¥81.1453
25:¥75.0772
50:¥71.077
参考库存:2098
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
2,500:¥6.1359
参考库存:14570
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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